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台积电升级CoWoS封装技术，计划2027推出12个HBM4E堆栈的120x120mm芯片

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发表日期：2024/4/28 8:07:00

IT之家4月28日消息，台积电近日在北美技术研讨会上宣布，正在研发CoWoS封装技术的下个版本，可以让系统级封装（SiP）尺寸增大两倍以上，实现120x120mm的超大封装，功耗可以达到千瓦级别。

根据台积电官方描述，CoWoS封装技术继任者所创建的硅中介层，其尺寸是光掩模（Photomask，也称Reticle，大约为858平方毫米）是3.3倍。

CoWoS封装技术继任者可以封装逻辑电路、8个HBM3/HBM3E内存堆栈、I/O和其他芯粒（Chiplets），最高可以达到2831平方毫米，最大基板尺寸为80×80毫米。消息称AMD的InstinctMI300X和Nvidia的B200都使用这种技术。IT之家附上截图如下：

台积电计划2026年投产下一代CoWoS_L，硅中介层尺寸可以达到光掩模的5.5倍，可以封装逻辑电路、12个HBM3/HBM3E内存堆栈、I/O和其他芯粒（Chiplets），最高可以达到4719平方毫米。

台积电还计划在2027年继续推进CoWoS封装技术，让硅中介层尺寸达到光掩模的8倍以上，提供6864平方毫米的空间，封装4个堆叠式集成系统芯片(SoIC)，与12个HBM4内存堆栈和额外的I/O芯片。

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